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多根连拉单晶硅生长控制方法及系统
发明专利未知
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9权利要求 · 5 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
万骞; 杨凯; 张友海; 王黎光; 芮阳; 伊冉; 马吟霜; 魏兴彤
申请日
Aug 31, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
C30B 15/20 (2006.01)C30B 15/00 (2006.01)C30B 29/06 (2006.01)
本发明公开了一种多根连拉单晶硅生长控制方法及系统,属于单晶硅棒拉制技术领域。该方法根据熔体杂质积累特性动态分配每一根单晶棒的等径长度,并依据分配长度确定二次补投料量,使后一次补投料后的熔体质量始终小于前一次。具体包括:设定计划连拉总根数和标准长度,根据热场结构确定理论最大总拉制长度;对每根晶棒长度进行“前长后短”的非均匀性分配;根据分配长度确定补投料量;控制补投料后熔体质量不超过上一根晶棒补投料后的熔体质量,使后一根晶棒初始液面高度始终不高于前一根。本发明通过长度非均匀分配与液面高度递降控制的协同作用,有效减少坩埚壁面杂质冲刷引入,降低连续拉制过程中的NG率,提升单晶硅棒拉制收率与整棒率。