一种优化MPCVD金刚石单晶毛坯生长的方法

本申请涉及金刚石合成的技术领域，尤其是涉及一种优化MPCVD金刚石单晶毛坯生长的方法，包括以下步骤：S1、晶种预处理：对金刚石晶种进行除杂处理，得到预处理晶种；S2、晶种排布：将预处理晶种排布于生长基座上，相邻预处理晶种之间通过间隔控制件保持预定间隔；S3、多气氛串联外延生长：将生长基座置入微波等离子体腔体内进行刻蚀与修复处理，完成刻蚀与修复处理后在预处理晶种上进行外延生长，得到金刚石毛坯；S4、循环检测再生长：达到设定生长时长后取出金刚石毛坯，进行品质检测及表面除杂处理，将金刚石毛坯返回微波等离子体腔体重复执行S3，循环进行直至金刚石毛坯的累积厚度达到目标厚度。本申请具有提高毛坯品质与良率的效果。