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一种高性能掺杂钽酸锂晶体及其制备方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王耀萱; 曹浩; 马涛; 燕婕; 聂瑞; 何福莉
申请日
Sep 14, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
C30B 29/30 (2006.01)C30B 15/04 (2006.01)C30B 15/20 (2006.01)C30B 31/04 (2006.01)
本发明提供了一种高性能掺杂钽酸锂晶体及其制备方法,属于无机功能晶体材料技术领域。本发明精准设计镥与镁/镱/铒等共掺杂的配比,优化单晶提拉全流程制备工艺,解决了现有钽酸锂晶体本征缺陷多、常规掺杂易致晶格畸变、掺杂浓度与晶体质量矛盾及大尺寸单晶生长困难的技术问题,实现高均匀性、高成品率、高热稳定性、高压电性能的掺杂钽酸锂单晶稳定生长。