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氮化镓晶体基板

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

北村寿朗; 佐藤隆; 藤本哲尔

申请日

Jan 28, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

C30B 29/40 (2006.01)

本发明的课题是得到包含碳且具有良好的光学特性的氮化镓基板。一种氮化镓晶体基板,氮化镓晶体基板中包含最多的杂质元素为碳,氮化镓晶体基板相对于波长1050nm的光的吸收系数为5cm以下。