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磁角度传感器及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

程明; 彭坤

申请日

Aug 13, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G01B 7/30 (2006.01)G01D 5/14 (2006.01)G01R 33/07 (2006.01)G01R 33/09 (2006.01)

一种磁角度传感器及其制备方法,磁角度传感器包括:衬底;位于所述衬底上的缓冲层;位于所述缓冲层的表面的四个隧道磁阻传感器元件,所述四个隧道磁阻传感器元件的钉扎层的磁矩方向一致;位于所述衬底的中央区域上的缓冲层的表面的平面霍尔传感器元件,所述四个隧道磁阻传感器元件均匀环绕在所述平面霍尔传感器传感器元件的周围。本发明通过在同一衬底上集成隧道磁阻传感器和平面霍尔传感器,提高磁角度传感器的灵敏度和稳定性。