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法珀传感器及其制造方法

发明专利未知
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11权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

张立喆

申请日

Jul 28, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G01L 1/24 (2006.01)C23C 14/48 (2006.01)G01D 5/353 (2006.01)

本公开涉及法珀传感器的制造方法以及根据所述方法制造的法珀传感器。所述方法包括:制造具有腔体的基部;提供用于形成压力敏感膜片的层堆叠体;在所述层堆叠体的至少一侧对暴露的压力敏感膜片的基础材料进行蚀刻以形成突起结构;以及在所述层堆叠体的一侧对暴露的压力敏感膜片的基础材料进行离子注入以形成掺杂区。