一种SiC MOSFET失效预警方法、装置、设备及介质

本发明公开了一种SiC MOSFET失效预警方法，包括：获取器件的多个与老化失效强相关的关键电热指标的实时指标值；所述关键电热指标至少包括导通压降、结壳热阻和结温波动，所述老化失效的失效模式包括键合线失效与焊料层失效；将实时指标值输入至预先训练好的时序预测模型中，输出各关键电热指标的指标退化趋势；根据指标退化趋势，分别计算器件的键合线失效概率和焊料层失效概率；基于键合线失效概率和焊料层失效概率，通过容斥原理求解得到器件的综合失效概率，根据综合失效概率进行失效预警。本发明能够解决单一指标表征片面、复杂工况适配性差的问题，显著提升器件失效风险预判的准确性和可靠性。