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一种铌酸锂薄膜波导结构及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

贾赫; 王旭阳

申请日

Aug 7, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G02B 6/122 (2006.01)G02B 6/13 (2006.01)G02B 6/136 (2006.01)

本发明涉及一种铌酸锂薄膜波导结构及其制备方法,该铌酸锂薄膜波导结构包括衬底层、缓冲层和铌酸锂层;所述缓冲层设置于所述衬底层,所述铌酸锂层设置于所述缓冲层;其中,所述铌酸锂层包括基体部和突起于所述基体部的脊部,所述脊部的高度为90~130nm;所述铌酸锂层是通过Z切铌酸锂薄膜形成。本发明一种实施方式的铌酸锂薄膜波导结构,制备工艺简单,且具有较低的偏振相关损耗和传输损耗。