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一种PZT晶圆薄膜及其制备方法、一种马赫-曾德尔电光调制器及其制备方法

发明专利未知
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

韩瑜

申请日

Sep 14, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G02F 1/21 (2006.01)G02F 1/225 (2006.01)G02F 1/035 (2006.01)G02B 6/132 (2006.01)G02B 6/136 (2006.01)G02B 6/13 (2006.01)

本发明公开了一种PZT晶圆薄膜及其制备方法、一种马赫‑曾德尔电光调制器及其制备方法,属于光学材料制备技术领域,本发明利用溶胶‑凝胶法先在SiO/Si衬底上制备种子层,再制备PZT干膜,随后在氧气氛围下进行高压氧气氛围热处理工艺,得到PZT晶圆薄膜,解决了传统常压热处理工艺制备的PZT晶圆电光系数较低,难以满足高性能光电器件需求的问题,本发明将PZT晶圆薄膜的电光系数由传统常压热处理的69pm/V显著提升至130pm/V,有效改善了PZT晶圆薄膜的光学性能,且工艺简单、成本可控,在光通信、光存储、电光调制器等领域具有广阔的应用前景。