一种相位移空白光罩基板缺陷修补方法及修复材料

本发明涉及空白光罩基板缺陷修复技术领域，尤其涉及一种相位移空白光罩基板缺陷修补方法及修复材料，通过DUV暗场干涉色差定位实现空白基板无标记缺陷分类，在同一密闭腔体内完成凸起铣削、凹坑修补与低温固化，采用双形态修复材料与界面改性助剂实现原位固相晶化。本发明解决了现有技术中定位难、工序割裂、膜层损伤大等问题，实现纳米级缺陷精准修复，修补层与基材光学性能匹配度＞95%，修复工时缩短90%，适用于面板、封装与半导体产业领域。