一种掩膜版刻蚀方法、装置、设备及存储介质

本申请实施例提供了一种掩膜版刻蚀方法、装置、设备及存储介质，可应用于半导体技术领域，在该方法中，对包含基板和第一掩膜层的基底结构进行图案曝光，获得中间态结构；以所述基板暴露为停止条件，对所述中间态结构循环执行以下操作：在所述中间态结构的表面进行薄膜沉积得到沉积层，并以所述沉积层和所述中间态结构中的第二掩膜层为掩膜，对所述中间态结构进行刻蚀操作；所述第二掩膜层用于刻画图案；基于剩余的第一掩膜层，对所述基板进行刻蚀操作，直到所述图案转移到所述基板上，实现了掩膜版刻蚀中图案的完整转移，提高了掩膜版刻蚀的准确度和成功率。