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一种氟改性光刻胶及其制备方法和Nano-LED器件的制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

金一政; 王晨扬; 梁东艺; 秦贵红

申请日

Sep 14, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G03F 7/004 (2006.01)H10K 71/00 (2023.01)H10K 50/115 (2023.01)G03F 7/027 (2006.01)

本发明公开了一种氟改性光刻胶及其制备方法和Nano‑LED 器件的制备方法,该氟改性光刻胶,其各组分的含量包括:酚醛环氧丙烯酸酯40–50 wt%;聚二季戊四醇五丙烯酸酯10–20 wt%;氟改性(甲基)丙烯酸烷基酯5‑15 wt%;光刻胶溶剂15‑35 wt%;自由基引发剂0.5‑2 wt%;双光子敏化剂20–150 μM;三乙胺0.1–1 wt%;抗自聚剂50–200 ppm。该光刻胶能够在有机载流子传输层上实现“正交图案化”的氟改性。

§ Ⅵ

专利附图

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