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一种面向纳米孔阵列姿态模板分布收敛的子阵列级流体-电学双闭环控制芯片
发明专利未知
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
G05B 19/042 (2006.01)
本发明公开了一种面向纳米孔阵列姿态模板分布收敛的子阵列级流体‑电学双闭环控制芯片,包括检测‑控制单元、局部姿态模板分布生成模块、局部分布偏移计算模块、偏移来源判定模块、流体‑电学协同反馈模块及阵列级收敛判定模块;每一检测‑控制单元包含微流控子腔、固态纳米孔子阵列及读出控制通道。本发明以局部姿态模板分布偏移作为流体反馈和电学反馈的共同闭环反馈变量,通过偏移来源判定在产生偏移的同一检测‑控制单元内选择性地执行流体反馈或电学反馈,并在反馈后重新生成局部姿态模板分布,最后由阵列级收敛判定模块计算阵列级收敛态分布及收敛误差。本发明有效提高待测物状态识别的跨子阵列一致性、重复性和低质量子阵列抑制能力。
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