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一种FPGA内置eFUSE单元的抗误烧写控制方法
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
G06F 21/76 (2013.01)G06F 21/79 (2013.01)G06F 21/57 (2013.01)
本申请公开了一种FPGA内置eFUSE单元的抗误烧写控制方法,涉及FPGA技术领域,该方法在对eFUSE单元烧写之前,首先利用FPGA内部的配置下载控制逻辑下载测试位流进行测试,并将各待修调项的测试值输出至测试引脚,然后根据各待修调项的测试值与目标值的偏差确定目标烧写码点,经由eFUSE控制逻辑对eFUSE单元进行烧写。该方法在烧写eFUSE单元之前加入测试校准流程来确定最终的目标烧写码点,可以实现对FPGA内部eFUSE单元的精准烧写,从而避免误烧写,有利于提高FPGA参数一致性且有利于提升量产良率。
§ Ⅵ
专利附图
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