返回搜索
档案
具有交叉点结构的半导体器件
发明专利未知
1浏览
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
IPC 分类
G11C 7/10 (2006.01)
本公开涉及具有交叉点结构的半导体器件。一种半导体器件包括:局部X开关块;第一辅助X开关块,其与局部X开关块在第一方向上对齐并重叠,设置在第一行;多个第一单元区域,其沿第一方向彼此对齐,设置在第一行并且位于局部X开关块与第一辅助X开关块之间;以及第一X线,其从局部X开关块延伸,以沿第一方向穿过多个第一单元区域。局部X开关块包括沿第二方向彼此对齐的多个局部X开关,该第二方向垂直于第一方向。第一辅助X开关块包括第一辅助X开关。第一X线包括:第一外X线,其与第一辅助X开关和多个局部X开关中的第一个局部X开关电连接;以及第一内X线。