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基于神经网络的迁移能级陷阱修正方法及系统

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

戴超; 刘乃龙; 丁曼

申请日

Apr 7, 2025

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

G16C 10/00 (2019.01)G16C 20/50 (2019.01)G16C 20/10 (2019.01)G16C 20/70 (2019.01)G06F 30/27 (2020.01)

本申请公开了一种基于神经网络的迁移能级陷阱修正方法及系统,属于高压与绝缘技术领域,包括:将各单体分子的基本结构搭建成相应的高斯分子结构;采用杂化密度泛函对高斯分子结构进行量子化学计算,得到轨道能级;对纳米复合材料进行量子化学计算,得到在无电场作用和固定电场强度下,纳米复合材料的轨道能级;计算电荷迁移过程中的电子陷阱和空穴陷阱的势垒高度,确定纳米复合材料的关键参数;构建神经网络,利用神经网络对载流子迁移率进行修正,得到修正值。本申请的方法通过建立“分子结构‑电场条件‑陷阱特性”映射关系,可以有效补偿纯理论计算的系统性偏差,显著提升纳米填料掺杂方案的可靠性,为高压绝缘材料的设计提供量化依据。