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一种硅负极材料及其制备方法和应用

发明专利未知
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

周忠仁; 吴浩翔; 吴新涛; 董鹏; 张英杰; 蒋思威; 申亚楠; 张喆; 张玉林; 王加富

申请日

Jun 10, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H01M 4/36 (2006.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/04 (2006.01)H01M 4/62 (2006.01)B82Y 40/00 (2011.01)B82Y 30/00 (2011.01)H01M 10/0525 (2010.01)C22C 3/00 (2006.01)C25C 3/36 (2006.01)C25F 3/12 (2006.01)C01B 33/12 (2006.01)

本发明提供了一种硅负极材料及其制备方法和应用。制备方法包括:以硅粉为阴极,含有M金属元素的熔盐为电解液,通电电解,电解结束后在阴极得到硅与金属M的合金,其中,M选自Mg、Li、Sn和Ca中的至少一种;以硅与金属M的合金为阳极,通过至少两段熔盐电解,电解结束后在阳极得到多孔硅中间体;降温至预定温度后通入含氧气体,在多孔硅中间体表面原位生长非晶SiO钝化层,冷却至室温,得到硅负极材料。本发明方法通过电解温度、电解时间等的协同控制,能够实现非晶相含量与晶粒尺寸的协同调控,可以有效降低硅负极膨胀率。