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卤素掺杂硫化锂及其制备方法、硫化物系固态电解质及其制备方法、应用

发明专利未知
10权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

申请人

天齐特锂新材料(眉山)有限公司; 天齐锂业新能源技术研究(眉山)有限公司

发明人

雷振; 陈格; 刘杨; 田欢; 张璨萍; 高宜宝

申请日

Aug 24, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H01M 10/0562 (2010.01)H01M 10/052 (2010.01)

本发明公开了一种卤素掺杂硫化锂及其制备方法、硫化物系固态电解质及其制备方法、应用,本发明提供的卤素掺杂硫化锂,包括以下组成的物质:LiSM,其中:M选自F、Br、I中的任意一种0.90≤x≤0.99,0.01≤y≤0.10。本发明通过卤素定向掺杂改性硫化锂,使卤原子以取代硫格位、形成晶格间隙缺陷的方式引入大量锂离子传输通道,降低锂离子迁移能垒;再结合氯元素共掺杂协同调控锂磷硫晶格结构,进一步优化晶格缺陷分布。最终制得的硫化物系固态电解质室温离子电导率远高于传统未掺杂及单一卤素掺杂锂磷硫氯体系,有效改善电池倍率充放电性能。

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