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一种半固态电池制造方法及半固态电池

发明专利未知
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12权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

刘光娟; 刘辉; 唐世梅

申请日

Jul 24, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H01M 10/058 (2010.01)H01M 10/052 (2010.01)H01M 10/0565 (2010.01)

本申请提供一种半固态电池制造方法及半固态电池,其中,半固态电池制造方法包括:提供待处理电芯、向待处理电芯内注入聚合物电解质前驱体、对注入聚合物电解质前驱体后的待处理电芯依次进行浸润处理以及固化处理、对固化完成后的电芯进行后处理得到半固态电池。其中,浸润处理和固化处理均包括温度变化阶段和温度保持阶段,在温度变化阶段,根据待处理电芯的实时温度及预设温压关系,调节施加于待处理电芯的压力,使压力随实时温度同步变化。具体地,本申请通过使浸润处理和固化处理均包括温度变化阶段和温度保持阶段,并在温度变化阶段令施加于待处理电芯的压力随电芯的实时温度同步变化,改善电极与聚合物电解质之间的界面接触,降低界面阻抗。