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半导体激光元件及光发射装置
发明专利未知
15权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
邱若生; 王畅畅; 吴庆林; 黄敏; 陶仁春; 黄少华
申请日
Jun 26, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H01S 5/10 (2021.01)H01S 5/042 (2006.01)H01S 5/024 (2006.01)
本发明涉及激光器技术领域,特别涉及一种半导体激光元件及光发射装置。半导体激光元件包括衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面;半导体叠层,设置于第一表面;背面电极层,设置于第二表面;背面电极层包括第一电极层和第二电极层;第一电极层位于第二电极层与衬底之间;第一电极层完全覆盖衬底的第二表面;第二电极层在第二表面上的投影边缘位于第一电极层在第二表面上的投影边缘的范围内,且第二电极层在第二表面上的投影边缘与第一电极层在第二表面上的投影边缘之间具有最小间距L;第一电极层的厚度d1小于第二电极层的厚度d2。上述设置有效提高半导体激光元件的发光性能和可靠性。
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