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GaN基电注入光子晶体面发射激光器
发明专利未知
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
郑婉华; 黄泰翔; 王明金; 陈静瑄; 司嘉昊; 辛东旭; 粟蔚; 谢文柱
申请日
Jul 10, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H01S 5/11 (2021.01)H01S 5/18 (2021.01)
本申请提供了一种GaN基电注入光子晶体面发射激光器,涉及半导体光电子器件技术领域,包括:由下至上依次层叠的GaN衬底、n型包层、n侧波导层、多量子阱有源区、p侧过渡层、埋置有光子晶体层的第一GaN基层、第二GaN基层、p型光限制层和p型接触层;GaN衬底远离n型包层的一侧经减薄形成n侧出光面,n侧出光面上设有环形电极,环形电极环绕光子晶体层的投影区域形成出光窗口;出光窗口内集成有多级螺旋相位板,多级螺旋相位板用于对自出光窗口射出的光束进行波前调制。使得相位调制结构的制备无需刻蚀激光器主谐振区,从而在规避主谐振结构损伤的同时,实现了对出射光束的波前调制。