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一种高槽满率集中绕组的定子结构

发明专利未知
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

王凡; 郑发明

申请日

Aug 11, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H02K 1/14 (2006.01)H02K 1/18 (2006.01)H02K 3/18 (2006.01)H02K 11/30 (2016.01)H02N 2/18 (2006.01)

本发明公开了应用于定子绕组相关领域的一种高槽满率集中绕组的定子结构,本方案采用两种分体式方案,来解决现有技术中分体式定子齿部需逐一拼接导致装配工序多、累积误差大、机械刚度低,以及整体式定子最后一个齿绕线困难导致槽满率难以提高的问题;第一种是通过将圆轭部上的至少一个齿部设置为独立轭部,使绕组可预先在圆轭外部绕制后再将独立轭部沿轴向插入燕尾槽完成装配,第二种是采用缺口式圆轭部与阶梯状独立轭部搭接配合,磁通沿台阶迂回跨缝,缩短垂直穿越空气层的距离,减少漏磁与铁损,同时配合波形弹片在拼接面持续施加弹性推力,使对接面保持紧密贴合,稳定控制拼接气隙,降低界面磁阻周期性波动,改善气隙磁场均匀性。

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