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一种CMOS集成电路瞬时光电流检测泄放电路
发明专利未知
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
池雅庆; 邓睿祺; 袁珩洲; 梁斌; 陈建军; 罗登; 喻国芳; 郭阳; 陈小文; 刘胜; 宋睿强; 刘必慰; 胡春媚; 扈啸
申请日
Sep 10, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H03K 19/003 (2006.01)H03K 17/687 (2006.01)G01R 31/28 (2006.01)G01R 31/311 (2006.01)
本发明公开了一种CMOS集成电路瞬时光电流检测泄放电路,包括泄放单元和检测单元,所述泄放单元包括PMOS泄放晶体管,所述检测单元采用PMOS型源极跟随器;所述PMOS泄放晶体管的栅极连接至所述PMOS型源极跟随器的输出端,所述PMOS泄放晶体管的源极连接至待加固对象集成电路的输出端,漏极直接连接至地;当辐射在集成电路中产生的光电流导致体电压塌陷时,所述源极跟随器响应并导通PMOS泄放晶体管,为光电流提供对地的快速泄放通路。本发明具有结构简单、稳定性更好、抗干扰能力更强等优点。