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半导体装置及其制造方法

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

陆聪

申请日

Apr 1, 2025

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

公开了一种半导体装置及其制造方法。提供了用于管理半导体装置中的光学测量标记的方法、装置、系统和技术。在一个方面中,一种半导体装置包括:第一区域,其中,第一区域包括第一半导体主体;第一电介质层,第一电介质层堆叠在第一半导体主体上;以及第一过孔结构,第一过孔结构沿第一方向延伸到第一电介质层中,其中,第一过孔结构沿第二方向和第三方向彼此间隔开,第二方向和第三方向垂直于第一方向。半导体装置还包括沿第二方向与第一区域相邻的第二区域,其中,第二区域包括具有第二半导体主体的存储器单元。