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一种半导体器件及其制备方法、电子设备

发明专利未知
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24权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

冯红磊; 王暾; 赵超; 王桂磊; 王祥升

申请日

Apr 1, 2025

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括:多个存储单元,分布于不同层、沿第一方向堆叠分布;所述存储单元包括晶体管,所述晶体管包括半导体层;所述半导体层沿第二方向构成第一环形,所述半导体层沿第三方向构成第二环形;所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直;字线,沿所述第三方向延伸,所述字线环绕所述半导体层的所述第二环形。