CNIPA.AI
返回搜索
档案

半导体装置

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

崔珍铭; 堀井秀树; 李镇宇; 尹敏瑞; 安东浩

申请日

Dec 31, 2025

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

一种半导体装置包括:外围电路区和布置在外围电路区上的单元阵列区,其中单元阵列区包括:在第一水平方向上延伸的位线;有源图案,其在位线上在竖直方向上延伸,并且各自包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁;以及字线,其在位线上在第二水平方向上延伸,并且包括第一导电层和第二导电层,第一导电层布置在有源图案中的每一个的第一侧壁上并且在第二水平方向上延伸,第二导电层包括布置在有源图案中的每一个的第二侧壁上的第一部分并且包括布置在第一导电层的侧壁上的第二部分;以及单元电容器,其分别布置在有源图案上。