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半导体器件

发明专利未知
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李全一

申请日

Mar 26, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)

本公开涉及一种半导体器件,根据实施例,该半导体器件包括:衬底;在衬底上的多个半导体图案,在基本上垂直于衬底的上表面的方向上间隔开;位线,连接到多个半导体图案沿第一方向的一个侧表面,并在基本上垂直于衬底的上表面的方向上延伸;多个电容器,分别连接到多个半导体图案沿第一方向的另一侧表面;多条字线,分别与多个半导体图案相交,并在与第一方向相交的第二方向上延伸;多个字线焊盘,在第二方向上与多个电容器重叠;以及多个字线接触部,连接到多个字线焊盘中的至少一些字线焊盘,其中,多个字线接触部在第一方向上间隔开,并且多个字线接触部沿基本上垂直于衬底上表面的方向具有不同的长度。