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半导体器件

发明专利未知
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20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

徐智慧

申请日

Mar 26, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10B 12/00 (2023.01)H10D 30/63 (2025.01)H10D 30/60 (2025.01)

一种半导体器件包括:第一位线,其在第一方向上延伸;第一沟道图案,其位于所述第一位线上并且连接到所述第一位线;第一字线,其位于所述第一沟道图案上并且在第二方向上延伸;下栅极绝缘图案,其位于所述第一沟道图案与所述第一字线之间;第二位线,其在所述第二方向上延伸,并且与所述第一字线在第三方向上间隔开;第二沟道图案,其位于所述第二位线上并且接触所述第二位线;上栅极绝缘图案,其位于所述第一沟道图案与所述第二沟道图案之间以及所述第一沟道图案与所述第二位线之间,接触所述第一沟道图案,并且包括铁电材料膜;以及第二字线,其位于所述第二沟道图案上并且在所述第一方向上延伸。