半导体结构及其制备方法

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构，包括：衬底，包括单元区，以及设置在所述单元区外侧的周边区；多个单元结构，位于所述单元区的上方，所述单元结构包括交替排布的有源结构和第一隔离结构多个第二隔离结构，位于所述周边区的上方，沿所述单元结构的外侧排布；多个字线，包含位于所述单元区的上方的第一部分，以及延伸至所述周边区的上方的第二部分，所述第一部分覆盖所述单元结构的侧壁，所述第二部分覆盖所述第二隔离结构的侧壁；其中，所述第一部分在远离所述衬底的方向具有第一高度，所述第二部分在远离所述衬底的方向具有第二高度，所述第二高度高于所述第一高度。本发明能够避免相邻的字线之间短路。