半导体结构及其形成方法

本揭示内容提供一种半导体结构，包括在基板上的位元线。位元线包括多晶硅接触、在多晶硅接触上的导电层，以及在导电层上的硬遮罩层。多晶硅接触包括种子层及具掺杂多晶硅层。种子层直接接触基板的主动区域。具掺杂多晶硅层在种子层上直接接触种子层。具掺杂多晶硅层包括第一部分及在第一部分上的第二部分。在第一部分中的N型掺杂剂的总数与硅的总数的第一数量比大于在第二部分中的N型掺杂剂的总数与硅的总数的第二数量比，以及第一部分的第一厚度小于第二部分的第二厚度。具较高掺杂剂浓度及较小厚度的第一部分及在第一部分上具较低掺杂剂浓度及较大厚度的第二部分可降低多晶硅接触的电阻并减少其中的空隙及接缝，且多晶硅接触的侧壁为直的。