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半导体存储器装置和包括该半导体存储器装置的电子系统

发明专利未知
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李泰坤; 洪昇完; 权英又; 权五轸; 金祐宰; 朴正焕; 李慜挺; 任善永; 车在勋

申请日

Mar 24, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10B 41/27 (2023.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 43/27 (2023.01)H10B 43/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)

提供一种半导体存储器装置和电子系统。根据本公开一些实施例的半导体存储器装置包括:衬底,其在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸,并且包括第一区域和围绕第一区域在第一方向上与第一区域间隔开的第二区域;栅极堆叠结构,其在第一区域中包括彼此交替地堆叠的第一绝缘层和栅电极层;沟道结构,其穿透栅极堆叠结构;模制结构,其在第二区域中包括彼此交替地堆叠并且具有彼此不同的材料的第一绝缘层和第二绝缘层,第二绝缘层中的每一个在水平方向上从栅电极层中的每一个延伸;分离结构,其在第一方向上将第一区域和第二区域分离,并且在第二方向上延伸;以及第一栅极接触件,其穿透模制结构的至少一部分,并且连接到栅电极层中的第一栅电极层。