半导体装置和制造半导体装置的方法

本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括：沟道层叠物，其包括交替层叠的沟道层和绝缘层，沟道层叠物包括布置在侧壁上的凹部和凸部；绝缘柱，其在沟道层叠物之间与凹部对应定位；以及电极柱，其在沟道层叠物之间与凸部对应定位。