用于形成3D NAND闪存的存储器结构的方法

用于形成3D NAND闪存的存储器结构的方法，包括：在基板上方形成层堆叠，该层堆叠包括栅极层和栅极间间隔物层的交替序列；通过从层堆叠中的存储器孔在横向上相对于栅极间间隔物层回蚀栅极层，在围绕存储器孔的侧壁中形成凹陷区；在每一凹陷区中形成离散的阻挡氧化物层；在存储器孔中的所暴露表面上共形地沉积连续的衬层；在衬层上沉积连续的牺牲层；回蚀牺牲层，使得在凹陷区外的衬层被暴露且牺牲层的离散部分保留在凹陷区中；去除衬层的所暴露部分，使得被离散的牺牲层部分所覆盖的衬层的离散部分保留在凹陷区中；去除凹陷区中牺牲层的离散部分；在每一凹陷区中形成离散的电荷俘获层；在存储器孔中沉积隧穿氧化物层；和在隧穿氧化物层上沉积沟道层。