降低NORD Flash存储单元控制栅极与字线电阻的制造方法及器件

本发明公开了一种降低NORD Flash存储单元控制栅极与字线电阻的制造方法，包括：1）在存储单元与周边逻辑区旋涂底部抗反射层，利用抗反射层流动性填充存储单元间隔凹坑，使存储单顶端抗反射层表面平整；2）经N型重掺杂注入光刻与显影后，对抗反射层进行部分刻蚀，使存储单元顶端裸露，存储单元凹坑处保留抗反射层保护；3）采用干法刻蚀刻蚀存储单元顶端氧化物，利用偏移溅射刻蚀的阴影效应保护控制栅极尖角处氧化物；4）干法刻蚀去除剩余抗反射层，执行N型重掺杂注入注入工艺；5）控制栅极与字线顶端氧化物完全去除，形成完整硅化物。本发明能彻底去除控制栅极与字线顶端氧化物，形成完整Salicide，降低控制栅极与字线电阻，提升读写速度。