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电容器、电容器制造方法及存储器件制造方法
发明专利未知
16权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
曹圭镐; 郑玹姝; 曺贤植; 金哈娜; 金才玟; 徐德炫; 金信范
申请日
Mar 26, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10D 1/68 (2025.01)H10B 12/00 (2023.01)
本发明公开了一种电容器制造方法,根据本发明的一个实施例,电容器制造方法包括:形成具有第一电极层、在所述第一电极层内部形成的第二电极层、以及在所述第二电极层内部形成的第三电极层的下电极,以及支撑所述下电极外壁的支撑件;移除所述下电极中位于暴露侧壁的所述第一电极层;在所述下电极外表面形成介电膜;以及在所述介电膜上形成上电极。