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电容器制造方法及存储器件制造方法
发明专利未知
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16权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
曹圭镐; 郑主焕; 曺贤植; 金哈娜; 金才玟; 徐德炫; 崔雄辰
申请日
Apr 8, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10D 1/68 (2025.01)
本申请的电容器制造方法包括：在基板上形成多个下电极和支撑所述下电极的支撑层；蚀刻所述下电极以扩展所述下电极的上部间距(TCD)；在所述下电极和所述支撑层上形成介电层；以及在所述介电层上形成上电极。