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一种陀螺型深槽结构硅电容及其制备方法

发明专利未知
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10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

请求不公布姓名; 请求不公布姓名

申请日

Aug 14, 2026

公开日

Oct 16, 2026

IPC 分类

H10D 1/68 (2025.01)

本发明涉及一种陀螺型深槽结构硅电容及其制备方法,包括阵列排布的多个陀螺型硅柱,其中陀螺型硅柱中心包括一个正六棱硅柱,其互不相邻的三个侧面分别通过一个连接结构与另外三个相同的正六棱硅柱侧面连接,同一列陀螺型硅柱摆放方向完全相同,相邻两列陀螺型硅柱摆放方向相反,多列陀螺型硅柱间交错嵌合。本发明的陀螺型深槽结构硅电容在保证深槽气体流通性的同时,显著提升了比表面积和结构稳定性,可支持更高深宽比深槽结构硅电容,进一步提升电容密度。