半导体石墨烯-碳化硅二极管及其制备方法、应用

本发明提出了一种半导体石墨烯‑碳化硅二极管及其制备方法、应用，属于半导体材料与器件技术领域。该半导体石墨烯‑碳化硅二极管包括碳化硅衬底和半导体石墨烯层。具体地，半导体石墨烯层通过外延生长工艺直接形成于碳化硅衬底的表面，半导体石墨烯层与碳化硅衬底之间通过共价键结合。其中，半导体石墨烯层与碳化硅衬底在垂直结合面的方向上形成异质结，半导体石墨烯层和碳化硅衬底分别构成半导体石墨烯‑碳化硅二极管的阳极和阴极，该半导体石墨烯‑碳化硅二极管为垂直型二极管。