一种GaN肖特基二极管及其制备方法

本申请属于半导体技术领域，公开了一种GaN肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在衬底布置面上依次外延成型AlN成核层、GaN缓冲层、重掺杂GaN传输层、AlGaN插入层与轻掺杂GaN漂移层；对轻掺杂GaN漂移层选择性刻蚀以形成纳米柱结构，在纳米柱以及轻掺杂GaN漂移层依次沉积AlN层和GaO层以构成复合介质层；刻蚀形成阴极沟槽；刻蚀裸露出纳米柱的顶端，于沟槽底部和纳米柱顶部分别沉积欧姆接触金属层，最后在纳米柱侧壁的复合介质层表面沉积肖特基接触金属层，得到GaN肖特基二极管。本申请有效平衡GaN肖特基二极管正向导通与反向阻断两类关键指标，既降低导通损耗，又显著抑制反向漏电、提升击穿耐压。