一种超低正向压降平面工艺肖特基整流二极管及其方法

本发明涉及整流二极管技术领域，公开了一种超低正向压降平面工艺肖特基整流二极管及其方法，其中，该方法包括：在N型重掺杂硅衬底上外延生长N型轻掺杂漂移层，得到外延片；在外延片正面的有源区边缘沉积场氧化层并光刻开窗，在有源区边缘形成P型保护环；依次溅射沉积Ti层和TiW层，得到肖特基接触层；在肖特基接触层正面依次沉积PECVD氮化硅钝化层并光刻开设接触孔，溅射沉积AlSi互联金属层并图形化形成正面电极，同时进行减薄及Al/Ti/Ni/Ag金属叠层沉积，得到整流二极管，该方法使本发明所制备的平面肖特基整流二极管提升了在超低正向压降、低反向漏电、高击穿电压及高批次一致性方面的性能。