一种环形平面栅分块式IGBT芯片及其制备方法

本申请提供了一种环形平面栅分块式IGBT芯片及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域，包括N发射区分块单元，每个N发射区分块单元包括四个呈全对称分布的N发射区分块；任意相邻的N发射区分块之间设置有载流均衡通道，载流均衡通道为P基区的暴露区域，所有载流均衡通道交汇于发射区分块单元的中心；多晶硅栅外侧轮廓与芯片的外轮廓相重合，多晶硅栅的内侧栅极氧化层的内侧贴附N发射区分块单元的外侧边缘。本申请通过N发射区分块单元将传统整体式N发射区沿平面方向分割为4个完全对称的发射区分块，在4个发射区分块之间预留宽度一致的十字形的载流均衡通道，横向通道与纵向通道垂直交汇于芯片中心，形成载流子横向扩散的均匀路径。