一种沟槽栅半超结SiC LIGBT结构

本发明公开了一种沟槽栅半超结SiC LIGBT结构，包括P型衬底、锥形P‑pillar区、锥形N‑pillar区、N‑bottom区、P‑body区、N‑base区、电极与栅结构；P‑pillar区为锥形且凸出至N‑bottom区，与锥形N‑pillar区、N‑bottom区构成锥形超结；本发明通过锥形超结拓宽电荷不平衡裕度，凸出P柱增强界面电场、平衡电压分配以提升击穿电压，解决传统超结电荷不平衡裕度与击穿电压无法兼顾的问题；采用SiC与沟槽栅，适配高压高频场景，兼具宽裕度、高耐压与良好开关性能。