IGBT场终止层的形成方法

本申请公开了一种IGBT场终止层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底的正面形成有IGBT器件的正面结构，对衬底进行预设制备工序，预设制备工序包括背面减薄工序；在减薄后的衬底背面进行第一次倾斜离子注入，离子注入的角度为θ，单次注入剂量为d；在离子注入完成后，将衬底沿第一方向旋转β角度；重复执行上述离子注入及旋转步骤N次，使衬底被旋转的总角度为360º，且注入总剂量满足D=(N+1)×d。本申请有利于改善场终止层的掺杂均匀性，避免IDSS失效问题。