半导体器件及其制备方法

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括第一和二区及第一和二栅结构的半导体结构，第一和二栅结构分别位于间隔设置的第一与二区的上表面；向第一栅结构中第一栅导电层相对两侧的第一区的上表层依次注入第一及二粒子，向第二栅结构中第二栅导电层相对两侧的第二区的上表层注入第三粒子，以于第一区中形成第一源漏区及于第二区中形成第二源漏区；形成分别与第一源漏区、第二源漏区、第一栅导电层、第一栅极及第二栅导电层电连接的各电极。本发明通过在第二区制作窄沟道器件的过程中，省去对第三粒子的待注入区进行非晶化处理的步骤，抑制了小尺寸的窄沟道器件的反窄沟道效应，提升了器件的可靠性。