半导体元件及其制作方法

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，所述的方法主要先形成一第一凹槽于一基底内，然后形成一栅极介电层于该第一凹槽内，形成一栅极结构于该栅极介电层上，去除部分栅极结构以及部分基底以形成一第二凹槽，形成一衬垫层于第二凹槽内，形成一场极板于第二凹槽内，形成一保护层于栅极结构上，形成一源极电极于基底上连接场极板，再形成一漏极电极于基底背面。