一种降低SOI MOS器件高温下PN结反偏漏电的方法

本发明公开一种降低SOI MOS器件高温下PN结反偏漏电的方法，在SOI MOS器件的阱区底部与埋氧层之间的中性区内引入复合中心层，降低局域有效本征载流子浓度，抑制SOI MOS器件高温下PN结反偏漏电。该复合中心层位于漏PN结空间电荷区边缘的中性区一侧，且与最终形成的器件沟道存在一定距离，不影响SOI MOS器件的阈值电压、开态电流和亚阈值摆幅；使用离子注入方法形成该复合中心层，与标准SOI CMOS工艺兼容。因此，本发明在不改变器件开态特性的前提下，显著降低SOI MOS器件在高温环境下的PN结反偏漏电，提高器件的高温稳定性和可靠性。