氮化物半导体装置及氮化物半导体装置的制造方法

本申请提供一种氮化物半导体装置，包括基板、通道层、第一极化层、极化控制层以及第二极化层。通道层设置于基板上，第一极化层设置于通道层上，极化控制层设置于第一极化层上，第二极化层设置于极化控制层上。第一极化层的晶格常数和第二极化层的晶格常数小于极化控制层的晶格常数。透过第一极化层、极化控制层以及第二极化层的配置，调整通道层的二维电子气。