垂直通道超级结氮化镓器件元胞结构及其制造方法

本发明公开了一种垂直通道超级结氮化镓器件元胞结构及其制造方法，所述垂直通道超级结氮化镓器件元胞结构，包括：位于衬底上的GaN层；位于所述GaN层中间隔排列的AlGaN势垒层；位于所述两个AlGaN势垒层之间所述GaN层中的P型GaN势垒层；介质层形成在GaN层、AlGaN势垒层和P型GaN势垒层上；源极电极与相邻AlGaN势垒层两外侧的GaN层电连接；栅极电极与P型GaN势垒层电连接；漏极电极形成在元胞结构背面。本发明通过多通道设计提高电流密度，通过垂直结构避免P型GaN图形化，降低工艺难度和成本，同时实现高耐压和低导通电阻。