梯度JTE与浮空环以及多级场板协同调控的终端结构

本发明公开了一种梯度JTE与浮空环以及多级场板协同调控的终端结构，包括碳化硅衬底，设置于碳化硅衬底上的外延层，以及设置于外延层上主结、若干JTE、若干浮空环和若干场板，JTE、浮空环和场板沿原理主结方向顺序设置。本发明同步设置梯度浓度分布的JTE、设置于JTE外围的浮空环以及多级场板，通过梯度JTE结构降低主结边缘电场集中，提高击穿电压，通过JTE外围浮空P型环实现电势逐级缓冲，提高终端稳定性，然后通过多级场板结构降低表面电场峰值，提高栅氧及介质可靠性；相比传统Guard Ring结构，降低终端面积，提高芯片有效面积利用率，同时，提高器件在高温高压可靠性测试中的稳定性。