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SGT器件的制造方法
发明专利未知
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8权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
包茜莲; 肖酉; 朱田; 张佳祺
申请日
Jun 24, 2026
公开日
Oct 16, 2026
IPC 分类
H10D 64/01 (2025.01)H10D 64/27 (2025.01)
本申请公开了一种SGT器件的制造方法,包括:提供一衬底,衬底的背面形成有背封层,形成SGT器件的正面结构;进行预清洗,背封层被去除;在衬底的背面形成第一保护膜;进行化学镀,在衬底的正面和侧壁形成镀层,在化学镀后,所述第一保护膜被去除;进行机械研磨,衬底的背面被减薄。本申请无需改变化学镀液配方或增加复杂的设备改造,即可解决SGT器件制造过程中的预清洗工序与化学镀工序相互制约的缺陷,有利于提升产品的良率并保障正常生产流片。
§ Ⅵ
专利附图
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